TPN4R712MD,L1Q - Toshiba - Транзистор

Описание

Информация о компоненте:

TPN4R712MD,L1Q | Toshiba | Транзистор

Технические характеристики и спецификация:

MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON

Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы

Серия по производителю Toshiba: MOSFET (Metal Oxide) 

Производитель: Toshiba .

Каталог: Полный каталог продукции Toshiba .

Сроки поставки: 5-9 недель

Для уточнения точных сроков и цены, свяжитесь с нашими сотрудниками

Артикулы Toshiba по каталогу и аналогом:

TPN4R712MD,L1Q

Категория продукции: MOSFET

RoHS: Да

Технология: Si

Тип монтажа: SMD/SMT

Корпус/Упаковка: TSON-8

Полярность транзистора: P-канал

Количество каналов: 1

Vds - Напряжение пробоя сток-исток: 20 В

Id - Постоянный ток стока: 36 А

Rds On - Сопротивление сток-исток: 4,7 мОм

Vgs - Напряжение затвор-исток: -12 В, 12 В

Vgs th - Пороговое напряжение затвор-исток: 500 мВ

Qg - Заряд затвора: 65 нКл

Минимальная рабочая температура: -55°C

Максимальная рабочая температура: +150°C

Pd - Рассеиваемая мощность: 42 Вт

Режим канала: Обогащение

Торговое наименование: U-MOSVI

Упаковка: Катушка Упаковка: Лента в нарезке

Упаковка: Mouse Катушка

Марка: Toshiba

Конфигурация: Одиночный

Время спада: 145 нс

Тип продукта: MOSFET

Время нарастания/включения: 11 нс

Серия: TPN4R712MD

Подкатегория: Транзисторы

Тип транзистора: 1 P-канальный

Время задержки выключения управления: 443 нс

Типичное время задержки включения: 18 нс